Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Punteggio complessivo
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Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB

Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    17.3 left arrow 16
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    24 left arrow 30
    Intorno -25% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.5 left arrow 12.0
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 17000
    Intorno 1.13 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    30 left arrow 24
  • Velocità di lettura, GB/s
    17.3 left arrow 16.0
  • Velocità di scrittura, GB/s
    12.0 left arrow 12.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    17000 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2190 left arrow 2925
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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