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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
34
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
23
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2782
3171
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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