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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Confronto
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
34
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
10.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
23
Velocità di lettura, GB/s
16.0
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
10.3
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2782
3171
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD16GX3M2A1600C9 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
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