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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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需要考虑的原因
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
34
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
23
读取速度,GB/s
16.0
17.5
写入速度,GB/s
10.3
13.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
3171
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Frequency (Mhz) *
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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