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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Compara
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
14.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
9.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
34
En -36% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
25
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2782
2340
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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