RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Compara
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Puntuación global
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
28
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
13.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.5
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2278
3025
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
AMD AE34G2139U2 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link