RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Compara
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Puntuación global
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
34
En 18% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
13.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
34
Velocidad de lectura, GB/s
13.5
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2278
3178
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link