RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Compara
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Puntuación global
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
38
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
13.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
38
Velocidad de lectura, GB/s
13.5
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2278
2961
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link