RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
92
En -119% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
42
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
2074
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link