RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
92
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
42
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2074
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link