RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Compara
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Puntuación global
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
30
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
13.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.5
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2278
2870
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link