RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Porównaj
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.5
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2278
2870
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link