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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Puntuación global
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Puntuación global
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
33
En 15% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
13.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
33
Velocidad de lectura, GB/s
13.5
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2278
3224
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
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