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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Confronto
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
33
Intorno 15% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
13.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
9.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
33
Velocità di lettura, GB/s
13.5
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.3
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2278
3224
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Kingston 9905403-518.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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