RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Compara
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Puntuación global
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
25
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2307
2427
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology C 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link