Comparación de la memoria RAM Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Puntuación global

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

14.6 14.2

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

9.9 8.1

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 12800

En 1.5 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2307 2427

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns