Comparaison de la RAM Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Note globale

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

14.6 14.2

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

9.9 8.1

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 12800

Autour de 1.5 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2307 2427

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns