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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Puntuación global
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
39
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.5
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.8
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2453
2430
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
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AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
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