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Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
Compara
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB vs Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
Puntuación global
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
27
En 30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
9.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
14900
10600
En 1.41 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
19
27
Velocidad de lectura, GB/s
18.1
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.9
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
14900
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-10-9-28 / 1866 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3040
2306
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
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