Comparación de la memoria RAM Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Puntuación global

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

17 37

En 54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

22.8 16

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

15.4 12.6

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 10600

En 1.81 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

3391 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns