RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Comparar
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Pontuação geral
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Pontuação geral
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
37
Por volta de 54% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.8
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.4
12.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
17
37
Velocidade de leitura, GB/s
22.8
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
15.4
12.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3391
2808
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparações de RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link