Comparaison de la RAM Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Note globale

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

17 37

Autour de 54% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

22.8 16

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

15.4 12.6

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 10600

Autour de 1.81 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

3391 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns