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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Compara
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Puntuación global
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
95
En 61% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.4
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
95
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.4
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1683
1518
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
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