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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
95
左右 61% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.4
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
11.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
95
读取速度,GB/s
11.4
15.8
写入速度,GB/s
7.4
7.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
1518
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
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Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
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