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Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
50
En 54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
15.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
10.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
50
Velocidad de lectura, GB/s
17.1
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.2
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
25600
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2898
2512
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CAS Latency (CL) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
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A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
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