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Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Comparar
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
50
Por volta de 54% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
10.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
50
Velocidade de leitura, GB/s
17.1
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.2
10.9
Largura de banda de memória, mbps
19200
25600
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2898
2512
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
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