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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
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Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
24
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
11.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
23
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
11.0
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2445
3004
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965640-035.C00G 32GB
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