Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Gesamtnote
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Gesamtnote
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    23 left arrow 24
    Rund um -4% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    17.2 left arrow 15.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    13.0 left arrow 11.0
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    24 left arrow 23
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.5 left arrow 17.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    11.0 left arrow 13.0
  • Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2445 left arrow 3004
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche