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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Compara
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
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Especificaciones
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
42
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2326
2476
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
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