RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
42
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
2476
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5471-039.A00LF 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link