RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Confronto
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
9.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
42
Velocità di lettura, GB/s
13.2
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2326
2476
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link