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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Compara
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.6
9.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
40
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
9.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2209
2286
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
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