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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
比较
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
总分
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.6
9.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
40
左右 -21% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
33
读取速度,GB/s
12.6
9.6
写入速度,GB/s
7.8
8.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2209
2286
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
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