RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
9.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
40
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2209
2286
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link