RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
77
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2728
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link