RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
77
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2728
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link