RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
36
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
36
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2696
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
INTENSO 5641152 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link