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Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Compara
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB vs AMD R7416G2400U2S 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Puntuación global
AMD R7416G2400U2S 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
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Razones a tener en cuenta
AMD R7416G2400U2S 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
41
En -86% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
22
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2412
3260
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
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