RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Compara
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB vs SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
101
En 59% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
7.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
101
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2412
1313
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G3D1609DS1S00. 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C
Crucial Technology CT102464BF1339.C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link