RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Compara
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
44
En -38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.3
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
16.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2193
3726
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link