RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
44
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
19.4
Скорость записи, Гб/сек
8.6
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2193
3726
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link