RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
44
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2193
3726
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link