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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Puntuación global
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
29
En -38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
21
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2227
3141
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Mushkin 996902 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Inmos + 256MB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
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