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Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
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Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Puntuación global
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
41
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
29
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2142
3285
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
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Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
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