RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Note globale
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
41
Autour de -41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
29
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2142
3285
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link