RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Gesamtnote
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
41
Rund um -41% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
13.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2142
3285
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link