RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
2740
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link