RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.2
12.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
25
Velocità di lettura, GB/s
12.1
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2045
2740
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Confronto tra le RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link