RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.2
12.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
25
Velocità di lettura, GB/s
12.1
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2045
2740
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Confronto tra le RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Jinyu 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link