RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs INTENSO 5641160 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Puntuación global
INTENSO 5641160 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
INTENSO 5641160 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
25
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
2613
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
INTENSO 5641160 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link