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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
INTENSO 5641160 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs INTENSO 5641160 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
INTENSO 5641160 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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需要考虑的原因
INTENSO 5641160 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
25
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
INTENSO 5641160 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
23
读取速度,GB/s
12.1
16.1
写入速度,GB/s
8.6
10.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2613
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
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Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
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Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
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