RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
6.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
41
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
7.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
6.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
1512
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-YH0 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link