RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
69
En -109% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
33
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
2806
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link